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合金排序, p-n接合位置,氧在含铝磊晶层中的纳入等等,都有可能影响AlInGaP发光二级管的内部量子效率。 二次离子质谱分析仪(SIMS)是一种可以鉴定上述临界参数的高精确工具。
SIMS的優越深度分辨灵敏度可以辨别磊晶結構中基质和雜質濃度隨深度的變化。如同多重量子井(multiple quantum well)這樣細微的结构都可以分辨出來。
垂直空腔表面发射激光(VCSEL)的磊晶结构非常复杂, 多达一百层。 每一层的厚度,成份和 掺杂浓度都有严格控制。 SIMS 的深部剖面测量是分析这种复杂的磊晶结构的最佳工具。
AlInGaN 具有比AlInGaP 更寛的能带隙, 因而可以进入光谱中能量更高的蓝色和绿色频谱. 应用SIMS 的深部剖面测量能力可以展现半导体器件的结构和掺杂特征。